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1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:【產(chǎn)品名稱】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)
【爐管尺寸】φ40--φ100mm
【加熱區(qū)】300mm/440mm
【額定溫度】1200℃
【控溫精度】±1℃
【應(yīng)用領(lǐng)域】PECVD系統(tǒng)(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成。

  • 產(chǎn)品型號(hào):STGC-60-12
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2023-11-16
  • 訪  問(wèn)  量:864

詳細(xì)介紹

品牌三特爐業(yè)升溫速度(達(dá)到最高溫)90/min
加熱方式電阻式控溫精度±1℃
最高溫度1200℃價(jià)格區(qū)間面議
儀器種類管式爐產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域綜合

 商品描述

【產(chǎn)品名稱】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)

【爐管尺寸】φ40--φ100mm

【加熱區(qū)】300mm/440mm 

【額定溫度】1200℃

【控溫精度】±1℃ 

【應(yīng)用領(lǐng)域】1200℃-PECVD管式爐系統(tǒng)(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng))由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成,   本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù),最終得到基片上沉積出所期望的薄膜。


性能特點(diǎn):
CVD管式爐系統(tǒng)由
管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源

管式爐可選擇不同的管徑和恒溫區(qū)的長(zhǎng)度,爐管兩端裝有高真空不銹鋼密封法蘭;

真空獲得系統(tǒng)可根據(jù)試驗(yàn)要求選擇不同的真空泵,旋片式機(jī)械真空泵真空度≤5pa,分子泵真空機(jī)組真空度1×10-4pa;

氣路供氣系統(tǒng)可選擇3路浮子手動(dòng)和3路自動(dòng)質(zhì)量流量系統(tǒng)

真空測(cè)量數(shù)字復(fù)合真空機(jī)或皮拉尼真空計(jì)

等離子體放電選擇13.56Mhz的設(shè)備電源,功率輸出可選擇200W、300W和500W

管式爐可選擇單溫區(qū)300mm和440mm,也可選擇三溫區(qū)或多溫區(qū)進(jìn)行溫度的梯度試驗(yàn)

溫控器內(nèi)置的RS485數(shù)字通信端口和USB適配器作為可選配置,可連接PC,用于系統(tǒng)的遠(yuǎn)程控制和監(jiān)視,還可以保存或?qū)С鰷y(cè)試結(jié)果。

產(chǎn)品符合歐盟CE標(biāo)準(zhǔn)。


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